Özet
Çıkış tamponunun (sourcing current) sürdüğü naktaya akım veriyor. Çıkış lojik 1 yapısı olanı zamanı ise bağlandığı naktadan gelen akımı batırıyor (Sink Current).
Diğer Dergiler
Tam metin içeriği
rak verilmiş. Bu iki tanımdan farkedi-
yoruz ki lojik 4 ve lojik O'daki akım ko-
rakteristikleri belirgin bir değişiklik gös-
teriyor.
Bu kanımızı s.423'teki tablo da pe-
kiştiriyor.
—1>—
çıkış tamponu
Çıkış tamponu (sourcing current)
sürdüğü noktaya akım veriyor.
Çıkış lojik O yapıldığı zaman ise bağ-
landığı noktadan gelen akımı batırı-
yor (Sink Current).
Tabloda akım karakteristikleri ise
şöyle:
Çıkış lojik 4 iken (VOH) 2.4V) PAO-PAJ,
PBO-PB7,PC,DBO-DB7 pinlerinin dışarı
sağlayabileceği akım minumum 200
mikroamper, tipik olarak ise 1000 mik-
roamper (1mA). Mesela PAO pinini bir
NPN transistörün bazını sürmek için kul-
lanırsanız, buradan tipik olarak 1mA
sağlayabilirsiniz. Eğer buradan biraz
daha fazla akım çekmeye kalkarsa-
nız, voltaj 2.4 voltun altına düşer.
9
çıkış voltajı
PAO ——m —
Bir NPN transistörü sürmek için port'u
lojik 4'e getirmek gerekir. Eğer transis-
törünüz PNP ise port'un akım batırma
(current sink) özelliğinden faydalana-
bilirsiniz.
BR
1.
PAO
Bu transistörü iletime geçirmek için
PAO bacağını lojik Oyapmak gerekir.
Burada dikkat edilecek nokta PAO ba-
m ei
58
cağının batırabileceği maksimum
akım. Tipik değeri 3.2 mA olan bu akı-
mı 5-6 miliampere çıkartabilirsiniz.
Ama daha fazla zorlarsanız port çıkış
tamponunu yakma ihtimaliniz var.
Elektronikle ilgisi CMOS entegrelerin
çıkışına kadar uzananlar, bu teknoloji
ile üretilen ilk tümleşik devrelerin insan
vücudundaki statik elekirikten bile et-
kilenip yandığını hatırlarlar. Bu olayın
çok basit bir nedeni var.
V- O/CveyaC- ON bir kapasitör-
deki yük ve voltaj ilişkisini tanımlar
GC) Farad cinsinden kapasitör.
©) Coulomb olarak kapasitördeki
yük
V-) Volt (kapasitörde oluşan voltaj)
CMOS entegrelerin girişinde MOS-
FET bir transistör var.
Elektronikçilerin bildiği gibi FET tran-
sistörlerin giriş empedansları çok yük-
sektir (1012 ila 4015, ohm civarı). Bu
yüzden FET transistörler girişlerinden
akım çekmezler. Yalnız iletime seçme-
si için giriş kapasitesinin dolması ge-
rekir. Bu kapasitenin değeri ise çok kü-
çüktür. Bu küçük değerli kapasitöre in-
san vücudundaki küçük değerli elek-
trik yük aktarılınca Vx 9/C bölü-
münde paydanın (kapasitör değeri-
nin paydan (0'dan) çok küçük olma-
si nedeniyle bölümün yani oluşan vol-
tajın değeri çok büyük olmakta bu
voltaj giriş kapasitesinin direktriği olan
isolasyon bariyerini delmekteydi. Baş-
langıçta oldukça ciddi bir sorun olan
statik elektriğe duyarlılık. bugünün
CMOS'larındâ o kadar da önemli bir
sorun değil. İmalatçılar işin kolayını gi-
rişe bir zener diyot ilave ederek bul-
dular. Bu zener diyot sayesinde giriş
kapasitöründe oluşan gerilim belirli bir
değeri aşınca zoner diyot iletime ge-
çiyor ve kapasitörü deşarj ediyor. Böy-
lece giriş transistörü korumuş oluyor.
Yalnız databook'ları inceleyenler he-
men hemen tüm MOS tümleşik devre-
lerin veri föylerinde (data sheet) şöy-
le bir çekinceye iastlarlar.
Tüm girişler yüksek statik deşarja
karşı koruma devresi içerirler. Fakat
izin verilen limitlerin dışına taşmama-
ya ve bu limitlerin içinde kalmaya
azami dikkat gösterilmelidir.
Bu notta altı çizilmesi gereken en
önemli ifade "izin verilen limitler” ol-
malı. Yani bu koruma limitsiz bir gü-
venlik sağlamıyor. Ve bu limitler aşıl-
dığı zaman devrenin tehlikeye girece-
ğini belirtiyor.
Yine 5.422'deki COMMENT'i okursa-
nız bu uyarının şöyle devam ettiğini
göreceksiniz:
“Yukarıda mutlak maksimum şartlar
başlığı altında belirtilen büyüklüklerin
aşılması ve parçanın bu durumda or-
taya çıkan gerilimli çalışma şartlarına
uzun süre maruz bırakılma:
zalara ve parça güvenirli
dan kalkmasına sebep olabilir. “Bu-
gün, tüm elektronik parçaların data
sheet'lerinin gedikli dipnotu haline ge-
len bu satırları okuyucularımız da akıl-
larından çıkarmamalıdır.(I
